红外漏电***技术emmi

微光显微镜(EMMI)

对于半导体组件之故障分析而言，微光显微镜(Emission Microscope, EMMI)已被学理证实是一种相当有用且效率极高的诊断工具。该设备具备高灵敏度的CCD，可侦测到组件中电子－电洞对再结合时所发射出来的光子，能侦测到的波长约在 350 nm ~ 1100 nm 左右。目前此设备全方面的应用于侦测各种组件缺点所产生的漏电流，如： Gate oxide defects / Leakage、Latch up、ESD failure、junction Leakage 等。

侦测的到亮点之情况：

会产生亮点的缺点 - Junction Leakage; Contact spiking; Hot electr***; Latch-Up; Gate oxide defects / Leakage(F-N current); Poly-silicon filaments; Substrate damage; Mechanicadamage及Junction ***alanche等。原来就会有的亮点 - Saturated/ Active bipolar transistors; -Saturated MOS/Dynamic CMOS; Forward biased diodes/Reverse biased diodes(break down) 等。

1、EMMI可广泛应用于侦测各种组件缺陷所产生的漏电流，包括闸极氧化层缺陷(Gate oxide defects)、静电放电***(ESD Failure)、闩锁效应(Latch Up)、漏电(Leakage)、接面漏电(Junction Leakage) 、顺向偏压(Forward Bias)及在饱和区域操作的晶体管，可藉由EMMI***，找热点(Hot Spot 或找亮点)位置，进而得知缺陷原因，帮助后续进一步的失效分析。

2、***化***铟微光显微镜(InGaAs)与微光显微镜(EMMI)其侦测原理相同，都是用来侦测故障点***，寻找亮点、热点(Hot Spot)的工具，其原理都是侦测电子-电洞结合与热载子所激发出的光子。差别在于InGaAs可侦测的波长较长，范围约在900nm到1600nm之间，等同于红外线的波长区 (EMMI则是在350nm-1100nm)。

3、激光束电阻异常侦测(OpticaBeam Induced Resistance Change，以下简称OBIRCH)，以雷射光在芯片表面(正面或背面) 进行扫描，在芯片功能测试期间，OBIRCH 利用雷射扫瞄芯片内部连接位置，并产生温度梯度，藉此产生阻值变化，并经由阻值变化的比对，***出芯片Hot Spot(亮点、热点)缺陷位置。

4、ThermaEMMI是利用InSb材质的侦测器，接收故障点通电后产生的热辐射分布，藉此***故障点(热点、亮点Hot Spot)位置，同时利用故障点热辐射传导的时间差，即能预估芯片故障点的深度位置。